Micron muestra módulo DDR5 de 256 GB para servidores con velocidad de 9200 MT/s

Micron ha iniciado el muestreo de un nuevo módulo de memoria DDR5 RDIMM de 256 GB dirigido exclusivamente al segmento de servidores. El componente, fabricado con el proceso de 1-gamma DRAM de la compañía, opera a velocidades de hasta 9200 MT/s y busca consolidar su posición en infraestructuras de centros de datos.

Arquitectura de densidad y salto de rendimiento

Para alcanzar esa capacidad en un formato estándar, la empresa recurre a técnicas de apilamiento tridimensional que conectan múltiples chips DRAM mediante vías de silicio a través del sustrato (TSV). Esta arquitectura permite mantener la compatibilidad física con las plataformas actuales mientras se multiplica la densidad de almacenamiento sin alterar las dimensiones del módulo.

En términos de rendimiento, Micron asegura que el nuevo componente supera en más de un 40% a los módulos DDR5 de servidor que actualmente se encuentran en producción masiva. La referencia de comparación se establece contra los módulos de 6400 MT/s que dominan el mercado empresarial en la actualidad.

Optimización eléctrica y posicionamiento en el mercado

Uno de los puntos centrales del anuncio es la eficiencia energética. Un único módulo de 256 GB consume 11.1 W, lo que representa una reducción de más del 40% en el consumo operativo frente a la configuración tradicional de dos módulos de 128 GB, los cuales requieren 19.4 W combinados.

La compañía está coordinando pruebas de validación con socios clave del ecosistema de servidores para asegurar la compatibilidad en plataformas actuales y de próxima generación. El producto está diseñado específicamente para entornos de computación de alto rendimiento, modelos de lenguaje grandes, inferencia y procesadores de alto conteo de núcleos.