SK hynix acelera duplicación de capacidad DRAM para 2030 con nuevo complejo en Yongin
SK hynix tiene en marcha un plan estratégico para duplicar su capacidad de fabricación de obleas DRAM antes de que el CEO de NVIDIA solicitara públicamente más suministro. La empresa coreana proyecta elevar su volumen mensual a un millón de unidades para 2030, consolidando sus complejos en Yongin y Wuxi como ejes centrales del despliegue.
El complejo de Yongin lidera el despliegue físico
Según reportes de la cadena de suministro coreana, el centro de manufactura en Yongin pasará de procesar 550.000 obleas DRAM mensuales a un millón para 2030. La expansión se sostendrá principalmente en la planta Yuxi, cuya primera fase contempla seis salas limpias; la inicial recibirá equipo en febrero de 2027 y aumentará su capacidad en 60.000 obleas cada semestre hasta alcanzar las 360.000. Paralelamente, el complejo MI5X en Cheongju Tecnopolis sumará 80.000 unidades adicionales al volumen total.
¿Garantiza el ciclo de inversión la rentabilidad del nuevo complejo?
El anuncio se gestó incluso antes de que Jensen Huang escribiera please make more sobre una oblea durante el evento Computex en Taiwán, un gesto que puso en evidencia la tensión entre la infraestructura de IA y los módulos de memoria de alto ancho de banda (HBM). A pesar del entusiasmo inicial del mercado, fuentes de la industria advierten sobre la volatilidad histórica en los ciclos de inversión en capital: aumentos previos en pedidos de equipo suelen ir acompañados de contracciones repentinas, lo que mantiene a los socios de manufactura en alerta sobre si la demanda proyectada justificará el esfuerzo. La planta de Wuxi, China, que actualmente genera cerca de la mitad del volumen DRAM global de la firma, se integrará al esquema de crecimiento sin alterar su rol operativo actual.
Fuente: Wccftech
