SK hynix presenta iHBM para reducir resistencia térmica en HBM5

SK hynix ha dado a conocer iHBM, una nueva arquitectura térmica diseñada para la próxima generación de memoria de alto ancho de banda. La compañía indica que la solución reduce la resistencia térmica en un 30% al integrar elementos de enfriamiento directamente en la zona de mayor concentración de calor.

El punto crítico en la arquitectura de memoria

La memoria HBM actual extrae el calor de manera indirecta a través del núcleo principal. iHBM cambia este enfoque al situar los elementos de enfriamiento integrados (ICE) cerca de la capa física Die-to-Die (D2D PHY), que conecta el die base de la memoria con el acelerador de inteligencia artificial.

Este diseño utiliza un material a base de silicio no conductor para abrir una vía térmica adicional dentro del paquete. Según la empresa, la disposición directa permite mantener un funcionamiento estable bajo condiciones de alta temperatura y presión, algo esencial para los aceleradores de última generación.

¿Qué implica la llegada a HBM5?

SK hynix planea incorporar este sistema térmico en los futuros productos de memoria, incluyendo la especificación HBM5. La implementación se basará en su proceso de empaquetado a nivel de oblea, fundamentado en la tecnología MR-MUF.

La compañía señala que esta metodología debería permitir la integración del nuevo diseño térmico con los esquemas de System-in-Package existentes, requiriendo menores ajustes de disposición por parte de los clientes. Hasta el momento, no se han revelado nombres de productos comerciales ni fechas de envío.

Fuente: Videocardz