Samsung inicia muestreo de memoria HBM4E para aceleradores de IA
Samsung ha comenzado el envío de muestras de su nueva memoria para centros de datos, confirmando el primer muestreo de la generación HBM4E en la industria. La compañía coreana da continuidad a su línea de productos de alto rendimiento tras iniciar la producción masiva de HBM4 en febrero.
El salto de velocidad y capacidad en el primer muestreo
El primer lote entregado corresponde a un stack de 12 capas con capacidad de 48 GB. Según los datos técnicos, la velocidad de pin alcanza los 14 Gbps, con escalabilidad hacia los 16 Gbps según la demanda del cliente. Esto representa un incremento superior al 20% en velocidad respecto a la generación HBM4, que operaba hasta 11.7 Gbps en pruebas de sistema. La banda ancha por stack se sitúa en 3.6 TB/s, orientada directamente a aceleradores de IA, entrenamiento de modelos de lenguaje y plataformas de centros de datos a gran escala.
Arquitectura híbrida y control térmico
La nueva HBM4E se fabrica con el proceso de DRAM 1c de la empresa, catalogado como su sexta generación de tecnología de clase 10 nm. Para el die de lógica, se mantiene la base de 4 nm de Samsung Foundry, idéntica a la usada en HBM4. Las actualizaciones en el diseño de bajo consumo y los ajustes en el empaquetado mejoran la eficiencia energética en un 16% y reducen la resistencia térmica en más de un 14%, medidas pensadas para disipar calor bajo cargas prolongadas de trabajo de IA.
Producción masiva sujeta a cronogramas de clientes
Samsung aclara que el muestreo actual es solo el primer paso. La fabricación a gran escala se activará estrictamente bajo los cronogramas de los clientes, una vez completadas las entregas de muestras y las fases de optimización. La empresa planea variantes de 8 capas con 32 GB y 16 capas con 64 GB, aunque aún no revela los nombres de los primeros compradores.
«Tras la exitosa producción masiva de HBM4, Samsung ha vuelto a demostrar su ventaja tecnológica distintiva con HBM4E. A través de nuestras capacidades avanzadas de fabricación e inversiones anticipadas en infraestructura, seguiremos impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA.»
— Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y jefe de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics
Fuente: Videocardz
