SK hynix confirma el envío de muestras de memoria HBM4E con 48 GB y 16 Gbps por pin
SK hynix inició el envío de muestras de su memoria HBM4E a clientes clave del sector. La compañía confirmó que el nuevo producto utiliza un apilamiento de 12 capas y apunta directamente a aceleradores de inteligencia artificial, centros de datos y sistemas de computación a gran escala.
Densidad superior en formato compacto
El módulo de muestra alcanza una capacidad de 48 GB en un paquete de 12 niveles. Según los datos técnicos proporcionados, la memoria opera a velocidades de hasta 16 Gbps por pin y mejora la eficiencia energética en más del 20 % respecto a generaciones anteriores. La empresa también destaca que HBM4E reduce la latencia de transferencia gracias a una interfaz renovada y cambios de diseño internos. Aunque no se reveló el ancho de banda total por pila, los 16 Gbps por pin constituyen la cifra clave confirmada para esta fase inicial.
¿Puede el empaque Advanced MR-MUF sostener la carga térmica?
Para sostener el diseño de 12 capas, SK hynix implementó su tecnología Advanced MR-MUF. Este proceso de relleno inferior entre los chips apilados disminuye la resistencia térmica en un 17 % frente a HBM4. Menor resistencia térmica facilita la operación sostenida en aceleradores donde las memorias se ubican junto a procesadores de alto consumo. La compañía añade que el empaque también refuerza la estabilidad estructural del conjunto.
La competencia transita de hojas de ruta a calificación
Hasta el momento, no hay fecha oficial de producción masiva para HBM4E. Solo se indica que las muestras se entregaron a tiempo y que trabajarán con socios para preparar la fabricación en serie «en un plazo oportuno». Samsung ya anunció envíos de muestras de 12 capas en mayo pasado, también reclamando velocidades de 16 Gbps por pin. El anuncio de SK hynix confirma que la competencia por HBM4E transita ahora de las hojas de ruta públicas a la fase de calificación por parte de los clientes.
Fuente: SK Hynix | Videocardz
