Samsung, SK Hynix y Micron inician desarrollo de memoria DDR6 para 2028-2029

El desarrollo de la próxima generación de memoria DDR6 ha comenzado oficialmente, marcando el inicio de una carrera tecnológica entre los gigantes del sector. Samsung, SK Hynix y Micron están acelerando sus planes de comercialización para el periodo 2028-2029, impulsados por la creciente demanda de capacidad y velocidad en el sector de la inteligencia artificial.

La carrera por la estandarización de la memoria DDR6

Ante la necesidad de memorias de mayor capacidad y velocidad, los principales fabricantes de DRAM han iniciado sus planes de desarrollo para los nuevos estándares. Aunque la estandarización LPDDR6 fue anunciada por JEDEC el año pasado, ofreciendo mejoras significativas en eficiencia y rendimiento para centros de datos de IA, la atención ahora se desplaza hacia la memoria DDR6 para servidores y consumidores.

Según reportes de The Elec, los fabricantes de sustratos están siendo requeridos para avanzar en el desarrollo de la DDR6. Un representante de la industria de sustratos señaló:

«Las empresas de memoria y los fabricantes de sustratos suelen proceder con el desarrollo conjunto más de dos años antes del lanzamiento del producto. El desarrollo inicial de DDR6 ha comenzado recientemente.»

Aunque la comercialización de la DDR6 podría tardar unos años, los fabricantes de sustratos inician el desarrollo conjunto de nuevos proyectos dos años antes. Con el desarrollo inicial ya iniciado, los fabricantes de memoria están en una carrera para ser los primeros en lanzar sus respectivos productos DDR6. Ninguno ha lanzado o mostrado módulos DDR6 aún, pero dado el creciente interés en los nuevos estándares de memoria, los tres esperan que sus diseños de próxima generación se conviertan en la solución preferida para los futuros centros de datos de IA.

Especificaciones técnicas y plazos de comercialización

La DDR6 podría ofrecer velocidades en el rango de 8.4 Gbps, alcanzando hasta 17.6 Gbps a medida que el proceso madura. La memoria también ofrecerá mayores capacidades y mantendrá una operación de bajo consumo, con voltajes inferiores a 1.0V para los estándares LPDDR6.

Recientemente, JEDEC presentó su memoria LPDDR6 SOCAMM2 de próxima generación, con capacidades de 512 GB en un diseño compacto y eficiente en energía. La comercialización de la DDR6 podría producirse entre 2028 y 2029 para centros de datos de IA, y los consumidores podrían disfrutar de la memoria de próxima generación un año o dos después de que se satisfagan las demandas de los centros de datos.