TSMC A16 1.6nm: Nodo Angstrom con 10% más velocidad y 20% menos consumo
TSMC avanzó en los detalles técnicos de su próximo nodo de fabricación, el A16, correspondiente a la tecnología de 1.6nm. Este proceso podría marcar el inicio de la «era Angstrom» de la empresa taiwanesa, ofreciendo mejoras significativas en eficiencia energética y rendimiento frente a su predecesor de 2nm. La tecnología incorpora por primera vez de forma masiva el sistema de alimentación trasera, conocido como Super Power Rail.
La era Angstrom y el salto al 1.6nm
Durante el simposio VLSI de 2026, la compañía presentará su hoja de ruta para el nodo A16. Este se integra en la familia de nodos Angstrom, que también incluye los procesos A14, A13 y A12. Según la documentación técnica preliminar, el A16 utiliza una versión optimizada de los transistores Nanosheet, tecnología que debutó en el nodo N2 y que ya se encuentra en implementación en chips como los procesadores EPYC Venice de AMD.
El cambio más disruptivo es la introducción del Backside Power Delivery (BSPDN), denominado internamente Super Power Rail (SPR). Esta arquitectura redirige los recursos de enrutamiento del lado frontal exclusivamente para señales, lo que reduce drásticamente la caída de voltaje (IR drop) y mejora la eficiencia de la entrega de energía. Además, preserva la densidad de puertas y la flexibilidad del diseño, logrando una densidad de lógica y de memoria SRAM superior en un 8-10%.
Rendimiento y eficiencia energética
Las cifras presentadas por TSMC establecen comparativas directas con el nodo N2P. A igual área de núcleo y voltaje de alimentación (Vdd), el A16 podría ofrecer un aumento de velocidad de entre 8% y 10%. En términos de eficiencia, al mantener la misma velocidad, se podría lograr una reducción de consumo eléctrico de hasta un 20%. Esta combinación de alta densidad y bajo consumo posiciona al A16 como una solución ideal para productos de computación de alto rendimiento (HPC) que requieren redes de alimentación densas y rutas de señal complejas.
«SPR mejora la densidad de lógica y el rendimiento al dedicar los recursos de enrutamiento del lado frontal a las señales. También reduce significativamente la caída de voltaje (IR drop), mejorando la eficiencia de la entrega de energía. Lo más importante es que nuestro novedoso esquema de contacto trasero preserva la densidad de puertas, la huella del diseño y la flexibilidad del ancho del dispositivo, logrando la mejor densidad y el mejor rendimiento de la industria»
| CARACTERÍSTICA | DETALLE TÉCNICO |
|---|---|
| Nodo de fabricaciónTecnología Angstrom | 1.6nm (A16) |
| Mejora de velocidadFrente a N2P | 8-10% (a igual área de núcleo) |
| Reducción de consumoA igual velocidad | 20% |
| Densidad de lógica y SRAMIncremento | 8-10% |
| Tecnología de alimentaciónInnovación clave | Super Power Rail (SPR) / Backside Power Delivery |
| TransistoresArquitectura | Nanosheet optimizado (heredado de N2) |
| Inicio de producción en masaCronología | Cuarto trimestre de 2026 |
| Llegada a productos finalesDisponibilidad | Entre 2027 y 2028 |
Cronología de producción y nodos futuros
Aunque la producción en masa del nodo A16 está programada para el cuarto trimestre de 2026, los productos finales basados en esta tecnología no llegarán al mercado hasta el periodo entre 2027 y 2028, según lo previsto. Este nodo, junto con el A14, sentará las bases para las generaciones posteriores.
En la misma línea, TSMC planea lanzar el nodo A13 (1.3nm) y el A12 (1.2nm). El A13, que es una reducción de área del A14 con un ahorro del 6%, ofrecerá compatibilidad total hacia atrás y podría entrar en producción en 2029. El A12, también programado para 2029, aprovechará la tecnología Super Power Rail para seguir mejorando la eficiencia. Estas tecnologías son cruciales mientras TSMC expande su capacidad de fabricación para satisfacer la demanda de inteligencia artificial, un vacío que competidores como Intel intentan llenar con sus propios nodos avanzados.
Fuente: Wccftech
